C U P R I N S |
|
1 |
|
1.1. Siliciul |
1 |
1 |
|
1.3. Telegrafia
fără fir |
2 |
2 |
|
1.5. Radarul |
3 |
3 |
|
6 |
|
8 |
|
Partea I SEMICONDUCTOARE LA ECHILIBRU TERMODINAMIC |
|
9 |
|
9 |
|
9 |
|
2.3. Semiconductoare |
10 |
2.4. Reţele
cristaline |
11 |
17 |
|
17 |
|
20 |
|
24 |
|
26 |
|
26 |
|
28 |
|
4.3.
Benzi
energetice |
29 |
4.4. Electroni
şi goluri |
34 |
4.5. Masa
efectivă |
36 |
38 |
|
5. ECHILIBRUL
TERMODINAMIC |
40 |
5.1. Vibraţii
şi fononi |
40 |
42 |
|
5.3. Viteza
termică |
44 |
46 |
|
5.5.
Energia
de ionizare |
48 |
50 |
|
5.7.
Nivelul
Fermi |
52 |
57 |
|
64 |
|
Partea
a II a
SEMICONDUCTOARE LA NEECHILIBRU |
|
66 |
|
66 |
|
70 |
|
72 |
|
6.4. Difuzia
purtătorilor |
83 |
6.5. Drift - difuzie |
85 |
7. RECOMBINARE |
89 |
89 |
|
7.2. Cvasineutralitate |
89 |
7.3. Timp
de viaţă |
90 |
91 |
|
92 |
|
95 |
|
102 |
|
7.8. Lungime
de difuzie |
105 |
110 |
|
Partea
a III a JONCŢIUNI PN |
|
114 |
|
114 |
|
115 |
|
121 |
|
125 |
|
129 |
|
9.1. Ipoteze
de lucru |
129 |
129 |
|
130 |
|
132 |
|
134 |
|
135 |
|
9.7. Teorema
lui Kroemer |
136 |
138 |
|
10.1. Probleme
generale |
138 |
139 |
|
10.3. Concetraţia de minoritari la marginea regiunii de
tranziţie |
141 |
142 |
|
150 |
|
150 |
|
152 |
|
11.3. Calculul
curentului invers în prezenţa multiplicării prin
avalanşă |
155 |
159 |
|
160 |
|
12.2. Caracteristici
de semnal mic şi joasă frecvenţă ale diodei PN |
168 |
Partea
a IV a
TRANZISTOARE BIPOLARE CU
JONCŢIUNE |
|
13. TRANZISTOR
BJT |
178 |
13.1. Evoluţia
istorică |
178 |
13.2. Aspecte
generale |
180 |
184 |
|
13.4. Câştig
static în curent |
188 |
191 |
|
191 |
|
193 |
|
195 |
|
196 |
|
14.5. Ecuaţiile
Ebers - Moli |
199 |
14.6. Tensiuni
de străpungere |
204 |
206 |
|
206 |
|
213 |
|
221 |
|
221 |
|
223 |
|
Partea
a V a DISPOZITIVE UNIPOLARE |
|
231 |
|
16.1. Istoric |
231 |
231 |
|
235 |
|
242 |
|
17.1. Istoric |
242 |
17.2. Structura
MOS ideală |
242 |
246 |
|
250 |
|
253 |
|
255 |
|
256 |
|
18. DIODA
CU POARTĂ |
264 |
18.1. Aspecte
generale |
264 |
18.2. Echilibrul
termodinamic |
264 |
267 |
|
18.4. Caracteristicile
suprafeţei în condiţii de inversie la neechilibru |
268 |
269 |
|
272 |
|
272 |
|
273 |
|
19.3. Modelarea
caracteristicii ID- VD a tranzistorului JFET |
276 |
282 |
|
20. TRANZISTOARE
CU EFECT DE CÂMP DE SUPRAFAŢĂ MOSFET |
|
286 |
|
290 |
|
294 |
|
Partea
a VI a FENOMENE DE ORDINUL AL DOILEA ÎN DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE |
|
21. RECOMBINARE
- GENERARE ÎN
REGIUNEA DE SARCINĂSPAŢIALĂ A JONCŢIUNII PN |
296 |
296 |
|
301 |
|
21.3. Liniaritatea
câştigului static în curent fi la tranzistoarele
bipolare |
303 |
305 |
|
306 |
|
306 |
|
312 |
|
317 |
|
23.1. Bază
dopată neuniform |
317 |
23.2. Teoria
Moli - Ross |
319 |
23.3. Numărul
lui Gummel |
321 |
322 |
|
324 |
|
325 |
|
326 |
|
334 |
|
337 |
|
PROBLEME
REZOLVATE |
|
14 |
|
20 |
|
46 |
|
50 |
|
53 |
|
59 |
|
62 |
|
65 |
|
113 |
|
135 |
|
137 |
|
148 |
|
198 |
|
229 |
|
236 |
|
241 |
|
262 |
|
281 |
|
293 |
|
335 |
|
|